彭英才，男，教授，博士生导师。1974年毕业于河北大学，微电子学专业，获得工学学士学位。主要工作经历有：1990年-1991年日本丰桥技术科学大学访问学者；1996年-1998年北京航空航天大学高级访问学者，主要进行硅基纳米薄膜的PECVD生长制备与电学特性研究；2000年-2001年，日本广岛大学访问研究员，主要进行硅量子点的自组织生长与发光特性研究；2004年9-10月，2010年4-5月，2011年8-10月作为客座教授，赴日本东京理科大学进行学术访问与交流，并应邀作了相关专题学术报告。1974年至今在威尼斯886699工作。现为微电子学与固体电子学专业硕士研究生指导教师。
研究方向
主要从事硅基纳米结构光电信息薄膜材料的沉积生长、结构表征、电学特性、光学特性与量子器件的研究。
科研项目
1. 河北省自然基金项目：大晶粒多晶硅薄膜的可控成核高频感应加热CVD生长与光电特性研究E200800626(2008-2011)，主持人
2. 河北省自然基金项目：晶粒尺寸和密度分布可控的硅基纳米材料的激光烧蚀沉积研究503125（2003-2005），主持人
3. 南京大学固体微结构国家重点实验室开放实验室课题(2011-2013)，主持人
4. 中国科学院半导体所开放课题：Si纳米量子点的自组织生长与发光特性研究（2007-2009），主持人
代表论文
1. Y.C.Peng（彭英才）,G.S.Fu（傅广生）,W.Yu,S.Q.Li,Y.L.Wang（王英龙）.Crystallization of amorphous Si films by pulsed laser annealing and their structural characteristics.Semicond.Sci.Technol.,2004,19:759-763.
2. Y.C.Peng（彭英才）,X.W.Zhao（赵新为）,G.S.Fu（傅广生）. Progress of Si-based nanocrystalline luminescent materials.Chinese Science Bulletin,2002,47:1233-1242.
3. 彭英才，赵新为，傅广生。SI纳米量子点发光材料的研究进展。科学通报，2002,47:721-736
4. Peng yingcai（彭英才）,Fan Zhidong,Bai zhenhua,Zhao xinwei（赵新为）,Lou jianzhong,Cheng xu.Blue luminescent properties of silicon nanowires grown by a solid-liquid-solid method.Chin.Phys.Lett.,2010,27(5):057305-(1-3).
5. Yingcai PENG(彭英才),Xinwei ZHAO（赵新为）,Guangsheng FU（傅广生）.Progress of quantum-dot photoelectronic devices.Nanoscience,2007,12:30-34.
6. Y.L.Wang（王英龙）,G.S.Fu（傅广生）,Y.C.Peng（彭英才）,Y.Zhou,L.Z.Chu,R.M.Zhang.Influence of inert gas pressure on growing rate of nanocrystalline silicon films prepared by pulsed laser deposition.Chinese Physics Letters,2004.21:201-203.
7. Yingcai PENG(彭英才),Seiichi MIYAZAK.Blue light emission properties and device applications of the nanostructured materials.Nanoscience,2006,11:293-297.
8. Y.C.Peng（彭英才）,G.S.Fu（傅广生）,Y.L.Wang（王英龙）,Y.Shang.Progress of Si -based optoelectronic devices. Semicond.Photo.Technol.,2004,10:158-163.
9. Yingcai Peng（彭英才）,Xingwei ZHAO（赵新为）,Guangsheng FU（傅广生）.Progress of namostructures used for the Si-based light sources .Nanoscience,2006,3:219-224.
10. 彭英才，范志东，白振华，马蕾.Si纳米线的固-液-固可控生长及其形成机理分析.物理学报,2010,59(2):1169-1174
11. 彭英才，池田弥央，宫崎诚一.Si纳米量子点的LPCVD自组织化形成及其生长机理分析.物理学报，2003,52:3108-3113
12. 彭英才，竹内耿平，稻毛信弥，宫崎诚一。SiO2膜的薄层化对自组织生长Si纳米量子点发光特性的影响.半导体学报，2002,23:267-270
13. 彭英才，傅广生.量子点太阳电池的探索.材料研究学报，2009,23（5）：449-457
14. 彭英才，赵新为，傅广生.晶粒有序Si基纳米发光材料的自组织生长.材料研究学报，2004,18:449-460
15. 彭英才，傅广生，赵新为.实现受激光发射的Si基纳米材料与结构.材料研究学报.2007，21:1-10
16. 彭英才，稻毛信弥，池田弥央，宫崎诚一.LPCVD自组织生长Si纳米量子点的发光机制分析.发光学报，2002,23:261-264
17. 彭英才，康建波，马蕾，张雷，王侠，范志东.掺硼纳米晶粒多晶Si薄膜的结构特征与电学特性.人工晶体学报，2008,37（2）：471-440
18. 马蕾，张雷，王侠，彭英才.不同衬底表面上大晶粒多晶Si薄膜的制备.人工晶体学报，2008,37（6）：1505-1509
19. 彭英才，傅广生，王英龙，尚勇.提高掺铒硅基纳米材料发光效率的探索.人工晶体学报，2005,34:183-189
20. 彭英才，赵新为,傅广生，王英龙.实现受激光发射探索Si基激光器.人工晶体学报.2005,34：948-953
